光通信名人录

姓 名:余金中
性 别:男
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人物简介
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职务

现任职:中国科学院半导体研究所学术委员、研究生院研究员
曾任职:

简介


余金中,男,1943年8月生,湖北鄂州人。1960年毕业于大冶一中,1965年中国科学技术大学物理系毕业,1967年半导体研究所研究生毕业,师从王守武院士。1982-1983、1987、1990-1991年留学日本理化学研究所和大阪大学,师从难波进教授,获大阪大学工学博士学位。1992和2001年作为访问学者在美国硅谷和德国斯图加特大学工作和讲学。







余金中现任中国科学院半导体研究所学术委员、研究生院研究员,博士生导师。兼任浙江大学、山东大学、厦门大学、北京工业大学、华侨大学和河北大学兼职教授,《半导体光电子》、《飞通光电子技术》杂志编委。美国国际光子工程协会(SPIE)、中国光学学会会员和中国电子学会高级会员。

余金中长期从事半导体光电子学研究,目前着重研究硅基光电子集成、硅基光波导器件和SiGe/Si异质结和器件的生长、制备和特性表征。


主要学术业绩:


一、首先在国内实现了短波长激光器的长寿命工作,促进了我国光通信的起步发展。主持长波长激光器实用化研发,成功地转化为高技术产品。

二、开展低能量无损伤干法刻蚀研究,创新采用低能量大离子束流,实现了无损伤高速率刻蚀,为低阈值长寿命半导体激光器的研制奠定了重要基础。

三、1996年至今致力于硅基光电子学研究,合作设计加工出高水平的UHV/CVD系统,指导研究生外延出高质量SiGe/Si量子结构和器件,相关结果已被国外多次进行报道,并多次在国际会议上作邀请报告。

四、在国内率先主持开展SOI光波导研究,成功做出MMI耦合器和MZI热光型和电光型光开关,响应速度快,为国际先进水平。


获奖:


先后获中国科学院重大项目二等奖、科技进步二等奖和两次国家科技进步二等奖。1992年起享受国务院颁发的政府特殊津贴,2001年获中国科学院华为优秀研究生导师奖。发表论文150多篇,SCI和EI收录分别为55篇和43篇,被他人SCI引用60次,著作和译著各一本。培养硕士生3名、博士生15名。


完成/在研主要项目:


国家基金委重大项目“光子集成基础研究" 课题"IV族基能带工程材料和器件应用研究”(1998-2002)

国家基金委重大项目"WDM全光网基础研究",课题"WDM全光网关键器件及基础材料研究"(1999-2003)

科技部973项目"支撑高速、大容量信息网络系统的光子集成基础研究" 课题"OXC关键集成器件及增益非线性与噪声动力学"(2001-2005)

科技部863项目"通信用光电子材料、器件与集成技术" 课题"硅基高速波导光开关及其集成技术" (2002-2005)

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(简历修改时间:2016-08-17)

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